Мишень медная

Мишень медная применяется в вакуумном магнетронном напылении для нанесения медных тонкоплёночных покрытий на подложки в производстве печатных плат, полупроводниковых микросхем и архитектурных стёкол с электропроводящим покрытием. Медь — основной материал металлизации в интегральных схемах начиная с технологических норм 130 нм (вытеснила алюминий с 1997 года).

Преимущество меди над алюминием в металлизации ИС: удельное сопротивление Cu = 1,68 мкОм·см против Al = 2,65 мкОм·см — на 37% ниже, что критично при уменьшении ширины проводника до 5–10 нм. Кроме того, электромиграционная стойкость меди на порядок выше — при токах 10⁶–10⁷ А/см² (реальные значения в тонких дорожках) Cu служит в 10–100 раз дольше Al до образования обрывов.

Мишени для микроэлектроники: чистота меди 5N (99,999%), размер зёрен 50–200 мкм, ориентировка зёрен < 110 > (текстура оптимальна для равномерного распыления). Крупнозернистые мишени с хаотической ориентировкой дают неоднородную скорость распыления по площади мишени, что ухудшает равномерность плёнки. Для архитектурных стёкол (Low-E покрытие): Cu или Ag слой 8–12 нм между диэлектрическими слоями TiO₂/ZnO отражает ИК-излучение и снижает теплопотери здания — U-значение стекла снижается с 5,8 до 1,0–1,4 Вт/(м²·К).